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IRF7202TR Datasheet技术文件下载

IRF7202TR产品参数和技术文档

IRF7202TR产品图

IRF7202TR产品参考价格

IRF7202TR产品参数

品牌:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC
详细描述:
表面贴装 P 沟道 20V 2.5A(Tc) 1.6W(Ta),2.5W(Tc) 8-SO
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
带卷(TR)
零件状态
停產
FET 类型
P 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
2.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
250 毫欧 @ 1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
15nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
270pF @ 20V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.6W(Ta),2.5W(Tc)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准包装
2,500
型号: 厂家: 批号: 封装: 型号完全相同
  •  
  • 型号
  • 供货商
  • 厂家
  • 批号
  • 数量
  • 封装
  • 单价/备注
  • 日期
  • 询价
全选 (询价技巧:选中型号前面的多选框,可以同时向多家询价。)
产品索引: IDT72T72115L5BBI ILSB1206ERR15K IN74LS164D IDT82V2604BB IDT71256L70L32B IRLZ14A IXGK50N60A2D1 ILSB0805ER56NM ISL9014IRJBZ-T ISO7330CQDWRQ1

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