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IXFT12N50F Datasheet技术文件下载

IXFT12N90Q产品参数和技术文档

IXFT12N50F产品图

IXFT12N90Q产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
30
14.89267
$446.78

IXFT12N90Q产品参数

品牌:
IXYS
描述:
MOSFET N-CH 900V 12A TO-268
详细描述:
表面贴装 N 沟道 900V 12A(Tc) 300W(Tc) TO-268
制造商
IXYS
系列
HiPerFET™
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
900V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
900 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5.5V @ 4mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
90nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2900pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
300W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
TO-268
封装/外壳
TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
标准包装
30
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)
型号: 厂家: 批号: 封装: 型号完全相同
  •  
  • 型号
  • 供货商
  • 厂家
  • 批号
  • 数量
  • 封装
  • 单价/备注
  • 日期
  • 询价
全选 (询价技巧:选中型号前面的多选框,可以同时向多家询价。)
产品索引: IRSM808-105MHTR IRF630FI IDT71V3558SA133BQ IDT71T75602S100PFG8 IXTH21N60 IRG4BC30W-STRLP ISL9003IEKZ-T IHLW4040CFERR68M11 ICS83026AMIT IMC2220ER2R2K

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