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IXTH19N45 Datasheet技术文件下载

IXTH1N100产品参数和技术文档

IXTH19N45产品图

IXTH1N100产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
30
4.52800
$135.84

IXTH1N100产品参数

品牌:
IXYS
描述:
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-247
详细描述:
通孔 N 沟道 1000V 1.5A(Tc) 60W(Tc) TO-247(IXTH)
制造商
IXYS
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
1000V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
1.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
11 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
23nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
480pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
60W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247(IXTH)
封装/外壳
TO-247-3
标准包装
30
型号: 厂家: 批号: 封装: 型号完全相同
  •  
  • 型号
  • 供货商
  • 厂家
  • 批号
  • 数量
  • 封装
  • 单价/备注
  • 日期
  • 询价
  • IXTH19N45
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  • IXYS 
  • 2018+ 
  • 3000 
  • TO-247 
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